IRCRehberi.Net- Türkiyenin En iyi IRC ve Genel Forum Sitesi  
 sohbet
derya sohbet


Uzay Uzay'dan Son Haberler

3Beğeni(ler)
  • 1 Post By CeReN
  • 1 Post By AskHarfLeri
  • 1 Post By CeReN


 
 
Seçenekler Stil
Alt 25 Mart 2021, 09:45   #1
Standart Uzay Parcaciklarinin Ve Radyasyonun Uydularin Calismasi Uzerindeki Etkileri

Gunes olaylarindan veya kozmik kaynaklardan gelen yuklu tuzak veya gecici parcaciklar, uzay aracinin aciktaki yuzeyleriyle etkilesime girdiginde, etkileri sistemi cesitli sekillerde etkileyebilir. Dogal uzay ortamindan kaynaklanan etkiler arasinda uzay araci sarji, tek olay etkileri, toplam iyonlastirici doz ve yer degistirme hasari bulunur. Bununla birlikte, spesifik etki, olay parcaciginin turune, enerjisine ve muhtemelen kaynagina baglidir. Hapsedilen agir iyonlar, Tek olay etkilere neden olmak ve gerekli olan iyonizasyonu olusturmak icin yeterli enerjiye sahip degildir ve toplam iyonlastirici doz onemli bir katki yapmazlar.
Uzay Parcaciklarinin ve Radyasyonun Uydularin Calismasi Uzerindeki EtkileriGunes patlamalarindan ve radyasyon kusaklarinda hapsolmus protonlardan buyuk olcude etkilenen galaktik kozmik isinlar ve kozmik gunes parcaciklari GDA’lara neden olabilirken, elektronlarin GDA’lara neden oldugu bilinmemektedir. Ayrica fiziksel mekanizmalari farkli olmakla birlikte, uzay ortaminin iyonlastirici radyasyonu hem toplam iyonlastirici doz hem de tek olay etkileri neden olur.


Uzay Araci Sarji
Uzay araci sarji, uzay araci yuzeylerinde veya uzay aracinin icinde biriken yuktur. Cevredeki plazma ortamina gore bir uzay araci yuzeyinin elektrostatik ve uzay aracinin farkli bolumlerinde potansiyel degisIkliklere neden olur. Uzay araci sarjina katkida bulunan baslica dogal uzay ortamlari arasinda termal plazma ortami, yuksek enerjili elektronlar, gunes radyasyonu ve manyetik alanlar vardir. Bircok etkisi olmasina ragmen, elektrostatik desarjlar en tehlikelisi gibi gorunmektedir. Elektrostatik desarjlar, yapisal hasara, uzay araci bilesenlerinin bozulmasina ve elektroniklerin zarar gormesi nedeniyle operasyonel anormalliklere neden olabilir.


Uzay araci sarji, diferansiyel sarji iceren yuzey sarji ve dahili dielektrik sarji olmak uzere ikiye ayrilabilir. Yuzey sarjina dusuk enerjili plazma (<100 kev) ve fotoelektrik akimlar neden olurken yuzey sarji mutlak veya diferansiyel olabilir. Mutlak sarj, ortam plazmasina gore uydu potansiyeli esit olarak yuklendiginde meydana gelir. Diferansiyel sarj ise uzay aracinin parcalari birbirine gore farkli potansiyele yuklendiginde meydana gelir. Diferansiyel sarj, uydunun kendi kendini golgelemesinden de kaynaklanabilir. Uzay araci yuzeylerinin diferansiyel sarji, mutlak sarjdan (ortam plazmasina gore) daha zararlidir. Ilki, fiziksel malzeme hasari ve elektromanyetik girisim olusumu ve sonucta ortaya cikan gecici darbeler gibi uydu islemlerini bozabilecek desarj etkilerine sahip olabilir.
Desarj sonuclari ayrica veri ve kablolamada ki gurultuyu, kimyasal olarak aktif turlerin sacilmasini ve cekilmesini de icerir. Jeomanyetik alt firtinalardan sonra, kev elektronlarinin manyetosfere enjekte edilmesiyle sonuclanan diferansiyel sarj bildirilmistir. Dahili sarj, yuksek enerjili elektronlardan (> 100 kev) kaynaklanir ve uzay araci ekipmanina nufuz ederek, yuku yalitim malzemeleri icinde biriktirirler. Hassas elektronik devrelere cok yakin olan dielektrik malzemeler ve iyi yalitilmis iletkenlerde meydana geldiginden daha zararlidir. Sabit yorungede elde edilen birlesIk salinim ve radyasyon etkileri uydusundan elde edilen verilere dayanarak, cevresel olarak induklenen cogu uzay araci anomalisi, yuzey yalitkan sarji veya tek olayli arizalardan degildir. Derin dielektrik sarjindan ve sonucta ortaya cikan desarj darbelerinden kaynaklanmaktadir.



Tek Olay Etkileri
Tek olay etkileri, tek bir olay iyonlastirici parcacik, bir cihazda bir etkiye neden olacak kadar yeterli enerji biriktirdiginde meydana gelen ayri olaylardir. Genellikle yuksek enerjili protonlar ve kozmik isinlar olmak uzere iki uzay radyasyon kaynagi neden olur. Tek olay olgusu dorde siniflandirilabilir ve bunlar asagidaki gibidir:
• Tek olayli cokme,
• Tek olay mandallama,
• Tek olay yanmasi,


• Tek olay gecidi kirilmasi,
Tek olayli cokme, mikroislemci, yari iletken bellek veya guc transistorleri gibi bir mikro-elektronik cihazdaki hassas bir dugume carpan iyonlarin veya elektromanyetik radyasyonun neden oldugu bir durum degisIkligidir. Bu durum degisIkligi, bir mantik elemaninin ornegin, bellek biti, onemli bir dugumunde veya yakininda iyonlasma tarafindan olusturulan ucretsiz yukun bir sonucudur. Grevin bir sonucu olarak cihaz ciktisinda veya isleminde meydana gelen hataya yumusak hata denir. Cihazlardaki agir iyon ve proton tek olayli cokme mekanizmalari ornegin, dinamik rastgele erisim hafizalari ve cihazlarda galaktik kozmik isin enerjisi birikimidir.
Uzay Parcaciklarinin ve Radyasyonun Uydularin Calismasi Uzerindeki EtkileriTek olayli cokme, analog, dijital veya optik bilesenler gibi normal cihazlarda bir sifirlama veya yeniden yazmaya neden olabilirken cevreleyen arayuz devrelerinde etkileri olabilir. Ciddi bir tek olayli cokme, cihazin kontrol devresindeki bir tek olayli cokmenin cihazi bir test moduna, durdurmaya veya tanimlanmamis duruma yerlestirdigi tek olayli islevsel kesintidir. Bu normal islemleri durdurur ve kurtarmak icin guc sifirlamasi gerektirir. Tek olay mandallama, hatali tasarlanmis bir devrede meydana gelebilecek belirli bir kisa devre tipini tanimlamak icin entegre devrelerde kullanilir. Bir MOSFET devresinin guc kaynagi raylari arasinda, parcanin duzgun calismasini bozan ve muhtemelen asiri akim nedeniyle tahrip olmasina yol acan parazitik bir yapiyi tetikleyebilen dusuk empedansli bir yolun uretilmesidir.


Tek olay mandallamalar zor hatalardir ve kalici hasara neden olabilir. Bu, yuksek calisma akimina, cihaz ozelliklerinin uzerine cikmasina, veri yolu voltajinin dusmesine veya guc kaynagina zarar vermesine neden olabilir. Kilitlenme, cok hassas cihazlardaki protonlardan kaynaklanabilir. Bir tek olay mandallama, guc kapama sifirlamasi veya aygitin kapatilmasiyla duzeltilir veya silinir ve buyuk olcude sicakliga baglidir. Guc hizli bir sekilde kesilmezse, asiri isinma, metallesme veya baglanti teli arizasi nedeniyle yikici ariza meydana gelebilir. Tek olay yanmasi, bir guc transistorundeki yuksek akim durumunun neden oldugu bir durumdur. Oldukca yerellestirilmis bir olgudur, guc MOSFET’lerinde ve BJT’lerde drenaj kaynaginin yanmasini, gecit kopmasini, donmus bitleri ve yuklu-bagli cihazlarda gurultuyu icerir.
Tek olay gecidi kirilmasi, kapi oksidinde iletken bir yolun olusmasi veya lokalize dielektrik bozulmadir ve yikici bir yanmaya neden olur. MOSFET’lerde, BJT’lerde ve CMOS’ta olusur. Gunes patlamasi parcacik olaylari, ozellikle gezegenler arasi uzaydaki uzay araci icin en asiri tek olayli cokme ureten ortami olusturmaktadir. Radyasyon etkileri uydusunda yapilan deneyler, bir gunes patlamasi sirasinda onemli bir artis gostermistir. Radyasyon etkileri uydusunun verilerine dayanarak, cogu tek olayli cokme, protonlardan veya kozmik isinlardan dogrudan biriktirme yoluyla degil, nukleer etkilesimler yoluyla yuksek enerjili protonlardan geldigi bildirilmistir. Dusuk Dunya yorungesinde ki uydulari icin, ozellikle Guney Atlantik Anomalisin’de tuzaga dusurulmus protonlar en buyuk tek olay etkileri tehdididir.


Toplam Iyonlastirici Doz
Toplam iyonlastirici doz, iyonizasyon islemlerinin olusturdugu ve enerjili parcaciklar icinden gectiginde yari iletken veya yalitkan gibi malzemelerde biriktirdigi enerji miktarini ifade eder. Aygit arizasina veya astronotlarda biyolojik hasara neden olabilir. Radyasyon kaynakli sIkismis yukler, bir MOSFET’in gecit oksitinde birikebilir ve esIk voltajinda bir kaymaya neden olabilir. Kayma yeterince buyukse, sifir volt uygulandiginda bile bu tur bir cihaz kapatilamaz. Bu kosul altinda, cihazin tukenme moduna gecerek basarisiz oldugu soylenir. Toplam iyonlastirici doz, cogunlukla gunes enerjili parcacik olayindan ve Guney Atlantik Anomalisinden gecisten meydana gelen elektron ve protonlardan kaynaklanir.
Dusuk Dunya yorungesinde, ana doz kaynagi elektronlardan ve ic kusak protonlarindan, birincil kaynak ise dis kusak elektronu ve sabit yorungedeki gunes protonlaridir. Toplam dozdan kaynaklanan ilk kaydedilen uydu arizasi Telstar’dir. Uydu, 9 Temmuz 1962 yilindaki Starfish nukleer testinden bir gun sonra firlatilmistir. YaklasIk 1,4 Megatonluk nukleer silah, Pasifik Okyanusu’ndaki Johnston Adasi’nin yaklasIk 400 km yukarisinda patlatilmistir. Patlama, Dunya’nin manyetik alanina enjekte edilen ve yapay bir radyasyon kusagi olusturan beta parcaciklari (elektronlar) uretmistir. Bu yapay elektron kusagi 1970’li yillarin basina kadar surmustur. Sonuc olarak, Telstar, tamamen basarisiz olmadan once beklenenin 100 kati bir toplam doz almistir. Starfish nukleer testinde 7 ay icinde yedi uyduya kadar, esas olarak gunes pili hasarindan olustugu bilinmektedir.


Deplasman Hasari
Enerjik parcaciklar kati bir malzeme uzerine dustugunde, malzemenin icinden gecerken iyonlastirici ve iyonlastirici olmayan islemlere enerjilerini kaybederler. Enerji kaybinin sonucu, elektron deligi ciftlerinin ve atomlarin yer degistirmesi veya yer degistirme hasarinin uretilmesidir. Bosluklar yani, normal kafes konumundan bir atomun bulunmamasi ve gecisler yani, yer degistirmis atomun kafes olmayan bir konuma hareketi, baslangicta yaratilan birincil kafes kusurlaridir. Bir bosluk ve bitisIk bir ara bosluk kombinasyonu, Frenkel veya yakin cift olarak bilinir. Iki bitisIk bos pozisyon, divacancy olarak bilinen bir kusur olusturabilir. Ayrica, isinlanmis silikonda daha buyuk yerel bosluk gruplari olusabilir. Safsizlik atomlarina bitisIk bosluk ve ara kisimlardan kaynaklanan bir kusur, kusur-safsizlik kompleksleridir. Olay radyasyonu tarafindan olusturulduktan sonra, kusurlar daha kararli bir konfigurasyon olusturmak icin yeniden duzenlenmelidir. Kusurlarin dokme yari iletken malzeme ve cihazlarin ozelliklerini ne olcude degistirdigi, belirli kusurlarin dogasina ve belirli bir sicaklikta kusur olusumunu takip eden zamana baglidir.
Uzay Parcaciklarinin ve Radyasyonun Uydularin Calismasi Uzerindeki EtkileriRadyasyona bagli yer degistirme hasarinin etkinligi, bombardiman durumu, parcacik tipi, enerjisi, isinlama ve olcum sicakligi, isinlamadan sonraki sure, isinlamadan sonraki termal gecmis, enjeksiyon seviyesi, malzeme tipi, kirlilik turu ve konsantrasyon gibi faktorlere baglidir. Yer degistirme hasari, malzemelerin ve cihaz ozelliklerinin bozulmasina neden olur. Gelen bir parcacik ile bir kafes atomu arasindaki carpismayi tasvir ederek, atomun orijinal kafes konumundan yer degistirmesine neden olur. Yer degistirme hasari ayni zamanda azinlik tasiyici omrunu de dusurebilir ve tipik bir etki, bipolar transistorlerde kazanc ve kacak akimin bozulmasi olur.


ALİNTİ ~
________________

Bizde Mutsuz Olalim ~
 
Alt 25 Mart 2021, 09:52   #2
AskHarfLeri
AskHarfLeri - ait Kullanıcı Resmi (Avatar)

Standart

Emeğinize Sağlık @[Üye Olmadan Linkleri Göremezsiniz. Üye Olmak için TIKLAYIN...]

________________

Hayat Dediğimiz Boynumuza
İnsan Dediğimiz Yüreğimize Takar Kelepçeyi
Özgürce Yaşarken Mahkum Oluruz Zamana ...

Herkesin Hayatı Kendini Esir Alır
Kimse Kimsenin Görmez Zindanını ...
 
Alt 25 Mart 2021, 09:57   #3
Standart

Alıntı:
AskHarfLeri Nickli Üyeden Alıntı Mesajı göster
Emeğinize Sağlık @[Üye Olmadan Linkleri Göremezsiniz. Üye Olmak için TIKLAYIN...]
cok merci.

________________

Bizde Mutsuz Olalim ~
 


Konuyu Toplam 1 Üye okuyor. (0 Kayıtlı üye ve 1 Misafir)
 
Seçenekler
Stil

Yetkileriniz
Konu Acma Yetkiniz Yok
Cevap Yazma Yetkiniz Yok
Eklenti Yükleme Yetkiniz Yok
Mesajınızı Değiştirme Yetkiniz Yok

BB code is Açık
Smileler Açık
[IMG] Kodları Açık
HTML-Kodu Kapalı
Trackbacks are Kapalı
Pingbacks are Kapalı
Refbacks are Kapalı





Tüm Zamanlar GMT +3 Olarak Ayarlanmış. Şuanki Zaman: 18:49.